简介 

郭炜，中科院宁波材料所项目研究员，博士生导师，中科院青年创新促进会会员，《光子学报》青年编委。宁波市“3315 创新团队计划”人才，浙江省“钱江人才”。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学。曾在应用材料公司任研发工程师。2016年加入中科院宁波材料所，先后任“特聘青年研究员”、春蕾副研究员、项目研究员。长期从事第三代半导体材料与器件研究。发表论文80余篇，申请中国发明专利30余项，授权10余项。

郭炜：中国强芯路上的奋斗者

在全球化与科技进步的浪潮中，郭炜不懈努力、执着追求，给中国半导体产业“产学研用”一体化模式的推动注入“芯”能量。他的故事与成就，彰显着新一代宁波帮在全球化背景下的勇气、智慧和担当。

远赴美国求学，抓住机会毅然回国

2010年9月，郭炜乘坐飞机，来到大洋彼岸的美国北卡罗来纳州立大学，开始了自己读博之旅。他主攻的方向是氮化镓、AlGaN为代表的紫外发光二极管，这在仪器检测以及医疗测量方面发挥着重要的作用。读博期间，他掌握了生长材料知识，学到了高效率器件的关键技术。毕业后，郭炜希望继续在这个领域里发光发热，然而因为这种材料在军事领域的敏感性，他遭遇了就业难题。“我记得在一次面试过程中，面试官毫不掩饰地说，除非你比其他人优秀程度高出几倍，否则公司无法招收非美国国籍的人，特别是来自中国的毕业生。”郭炜说，他依然记得当时心灵上的震动，便暗下决心，要回国为祖国贡献自己的力量。在美国某半导体公司工作一年后，郭炜偶然间得知中科院宁波材料所正大力招聘优秀海外人才，他毅然决定回国来到宁波发展。

新环境新挑战，找寻科研新方向

回国就业，是一个新的起点，但也是一个新的挑战。新的环境，新的身份，他需要重新定位自己，一切工作都需要从零开始。郭炜并没有被眼前的困境难倒，“当时没有学生，我就在网上发布招生信息，“借”别的学校的学生来实验；没有方向，然后我就每天泡在实验室里大量阅读领域的最新研究成果。”郭炜笑着说道。同时，他积极与合作导师叶继春研究员以及材料所内其他的老师交流请教，结合自己在博士期间的工作背景，逐步找到了一条新的科研的方向——在AlGaN紫外LED领域深挖创新。现有的AlGaN紫外LED质量差、发光效率低、光电转换效率低等问题，郭炜及其团队发展了技术路线，通过三种方式提升深紫外LED外量子效率，率先开发了“横向极性结构”，并将其应用至发光、探测和电能转换等多个领域，提高了发光效率6倍，走在了学科前沿。

聚焦国家战略，勇担强“芯”使命

随着科研工作逐步进入正轨，郭炜又面临着新的挑战。作为科研国家队，中科院宁波材料所不仅要支撑地方经济发展，还需要积极对接国家战略需求、承担国家战略任务。郭炜深知核心技术是买不来的，只有沉心静气、厚积薄发，才能实现真正的技术突破、拿出真正能够用的上的产品。于是郭炜把重心从“能做什么”转移到“要做什么”上来，对工作方向进行了拓展，针对自己的积累和经验，团队面向领域卡脖子的国产半导体设备开发以及宁波市新能源汽车、信息电子领域对于功率芯片的巨大需求开展了攻关。郭炜所在的团队与宁波企业共建了联合中心，帮助企业进行器件设计、优化，实现了战略合作和资源共享。

作为新生代宁波帮，郭炜坚信，虽然现在团队的技术离大规模产业化应用还有一定的距离，但有理由相信通过不懈的努力，以及多方的合作，势必能够在宽禁带半导体领域彻底打通“产、学、研、用”产业链，实现半导体芯片的“国产化替代”。中国的半导体领域正因为有这样的“芯”生力量而突飞猛进。